6N钨靶材指的是纯度为6N的钨靶材，首先是由一家日本公司研制出来的。经高温处理后，该类靶材材料具有良好的耐热性和与氧化钽的相容性，可用于取代二硅化钼（MoSi2）和二硅化钨（WSi2）作为布线材料。
由日本公司研制得到的6N钨靶材的直径为300mm，其中钠和钾的含量各低于10x10-9，铁、镍、铬、铜、铝的含量各低于200X10-9，铀和钍的含量低于0.2X10-9，氧低于80X10-6，金属杂质总量低于1X10-6。
随着半导体集成电路的集成度越来越高，半导体电路中晶体管和线路的尺寸越来越小，对所用的钨等材料的纯度要求也越来越高。大规格集成电路制造中所使用的纯钨靶材的纯度要求达到99.999%（5N）以上，甚至达到99.999%（6N）。除了总杂质含量要越低越好之外，金属钨中存在的个别杂质元素对半导体集成电路也存在着不利的影响。因此必须对原材料中该类元素的含量进行控制。
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