偏钨酸铵晶体是生产钨产品的重要的中间化合物（或原材料），而钨产品是重要的工业材料，其杂质含量需要严格控制和准确检测。近年来对其纯度要求越来越高，需分析杂质元素种类越来越多。其中，对于偏钨酸铵晶体中痕量铋的测定可以采用共沉淀分离-氢化物发生-原子荧光光谱法实现。
共沉淀分离-HG-AFS测定APT晶体中铋的分析方法是在考察钨基体影响，研究采用共沉淀分离手段在碱性条件下分离钨基体并富集痕量铋的实验条件，优化选择共沉淀剂的种类、浓度等条件，考察钨残留浓度的基础上建立起来的。氢化物发生-原子荧光光谱法（HG-AFS）具有灵敏度高、选择性好且基体干扰小的优点。
偏钨酸铵晶体
