美科学家发明辉钼忆阻器，或将改变未来半导体领域方向 - 中国钨业新闻网

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作者：中钨在线文章来源：网络转载更新时间：2016-2-17 14:20:08
美科学家发明辉钼忆阻器，或将改变未来半导体领域方向美科学家最近使用辉钼制成了辉钼基柔性忆阻器，可以用其制造低功耗的超高速存储与计算芯片，科学学术网认为这一发明很可能让半导体芯片世界从“硅时代”跨越到“辉钼时代”。 A股公司中，洛阳钼业(3.41 -1.16%,买入)、金钼股份(6.83 -1.30%,买入)等涉及辉钼相关业务。中钨在线：邮件：sales@chinatungsten.com 电话：0592-5129696 传真：0592-5129797

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