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作者：中钨在线    文章来源：网络转载    更新时间：2016-1-12 15:56:55

铜互连图形的解决方法

去年某材料公司，推出全新的Applied Endura® CirrusTM HTX物理气相沉积(PVD)*系统，采用突破性硬掩模技术，可支持10纳米及更小的铜互连图形生成。芯片尺寸的不断缩小需要更先进的硬掩模技术，从而保证紧凑、微型互连结构的完整性。随着这一全新技术的推出，公司成功延续氮化钛（TiN*，半导体行业的首选硬掩膜材料）金属硬掩模，满足未来先进微芯片铜互连图形生成的需求。

解决先进互连图形生成的挑战是金属硬掩模精密工程领域的关键。

当今的先进微芯片技术能够将20千米长的铜线装入100平方毫米的狭小空间内，将其堆叠成10层，在层与层之间有多达100亿个通孔或垂直互连。金属硬掩模的作用是保持这些软ULK *电介质中的铜线和通孔的图形完整性。然而，随着芯片尺寸的不断缩小，传统TiN硬掩膜层的压缩应力可能会导致ULK薄膜中的狭窄铜线图案变形或倒塌。以Cirrus HTX沉积的TiN硬掩膜则提供了独特的应力调节功能，这一特殊性能加上良好蚀刻选择性，实现优异的的关键尺寸(CD) *线宽控制及通孔对准，从而提高产品良率。

TiN硬掩模技术的突破主要归功于硅片生产中的精密材料工程，使其制造出高密度、低应力的薄膜。在久经市场考验的Endura平台上，结合了兼具膜厚度均匀性和低缺陷率，Cirrus HTX系统能够满足多互联层图形生成的大规模量产需求带来的严峻挑战。

中钨在线：   邮件：sales@chinatungsten.com   电话：0592-5129696   传真：0592-5129797
 
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