CsxWO3의 공식을 갖는 Cs 도핑된 텅스텐 산화물 나노입자는 단열 마스터배치를 제조하기 위해 적용될 수 있다. 그리고 제조된 단열 마스터배치는 근적외선 차폐 특성이 우수한 단열 필름을 제조하는데 사용될 수 있다. 그 중 일부 전문가들은 솔보열 반응법으로 Cs 도핑된 텅스텐 산화물 나노입자를 제조하여 태양광 필터 응용 분야에서 근적외선 차폐 성능을 더욱 향상시킨 것으로 보고되고 있습니다. 또한 전문가들은 질소 어닐링이 CsxWO3의 미세 구조 및 근적외선 차폐 특성에 미치는 영향을 조사했습니다.
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http://cesium-tungsten-bronze.com/korea/index.html
결과는 육각형 구조를 가진 나노시트와 같은 Cs 도핑된 텅스텐 산화물 나노입자가 600°C 이상의 온도에서 어닐링된 후 나노로드로 변형되기 시작했음을 나타냅니다. CsxWO3 입자의 근적외선 차폐 특성은 500–700 °C에서 N2 어닐링에 의해 더욱 향상될 수 있습니다. 특히, N2 분위기에서 500 °C 열처리된 CsxWO3 샘플이 최고의 근적외선 차폐 특성을 보였다. 500°C 열처리된 CsxWO3 샘플의 우수한 근적외선 차폐 능력은 최소 O/W 원자 비율 및 대부분의 산소 결손과 상관관계가 있다고 제안되었습니다.
