Ti 도핑 텅스텐 삼산화물 전기 변색 막의 사이클 성능은 도핑되지 않은 WO3 막보다 우수하다. 이는 리튬 이온 주입 공정에서 WO3 착색이 단사 정계에서 큐빅 상으로 전이하는 것과 비교하여, Ti 도핑 WO3은 변색 전후의 결정 구조에 변화가없고 변색에 의한 격자 변형이 감소되고 극복해야 할 에너지가 필요하기 때문이다. 장벽이 감소되고, 거칠기 변화가 감소되어, 사이클 성능이 도핑되지 않은 WO3 막보다 우수하다.
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또한, WO3 막과 비교하여, Ti 도핑 산화 텅스텐 막은 변색 진폭이 유사하고, 주입 전하량이 증가하고, 색 변화 응답 속도가 명백하게 증가하고, 반복 된 사이클 후에, 전류 감소가 작아지고 사이클 안정성이 증가한다. 필름 표면의 둥근 입자가 라멜라 입자가되고 입자 크기가 작아지며 거칠기가 감소합니다. Ti의 도핑에 의해 WO3는 단사 정계에서 입방정 계로 변화하고, W-O 결합이 길어져 리튬 이온과의 결합에 유리하므로보다 많은 전하를 수용 할 수있다.
