연구진은 고순도 텅스텐 헥사 클로라이드의 제조 방법을 제안했는데, 여기에는 원료 전처리, 텅스텐 헥사 클로라이드 제조, 텅스텐 헥사 클로라이드 정제, 응축 수신 및 테일 가스 처리 단계가 필요합니다.
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고순도 텅스텐 헥사 클로라이드의 제조 방법
1 단계 : 원료 전처리. 큰 입자 크기의 텅스텐 분말 (> 75um)을 얻기위한 스크리닝 또는 소결, 정화 과정에서 염소 가스를 예열하고 온도가 600-1000 ° C로 상승, 탈수를위한 고온 염소 대기를 통해 큰 입자 크기의 활성 탄소 (> 75um)를 스크리닝 탈산 처리. 텅스텐 분말, 염소 가스 및 활성탄의 몰비는 100 : (300-600) :(1-20)이다.
2 단계 : 텅스텐 헥사 클로라이드 제조. 큰 입자 크기의 텅스텐 분말과 80 % -95 % 정제 된 고온 염소 가스가 염소화로의 바닥에서 반응합니다. 염소화 온도는 600-1000 ° C입니다. 발생 된 육 불화 텅스텐 및 염화 텅스텐 불순물은 증기 형태로 가스 출구를 통해 유출된다.
3 단계 : 텅스텐 헥사 클로라이드 정제. 처리 된 활성탄은 정제로에 채워지고, 염소로에 의해 생성 된 증기 및 정제 된 고온 염소 가스의 5 % -20 %가 정제로에서 정제되며, 정제 온도는 600-1000 ° C이며, 텅스텐 옥시 클로라이드 및 저가의 텅스텐 클로라이드는 스팀에서 헥사 클로라이드로 환원되어 정제 된 스팀을 얻는다.
4 단계 : 응축 수신. 정제 된 증기가 리시버로 유입되고, 냉각수는 30-250 ℃의 온도에서 제어되어 고순도 텅스텐 헥사 클로라이드 분말을 얻고, 테일 가스가 배출된다.
5 단계 : 테일 가스 처리. 테일 가스는 테일 가스 흡수 탱크에서 수산화 나트륨 용액에 의해 흡수된다.
