이황화 텅스텐 나노 입자를 준비하는 방법? 현재, 꽃 모양의 WS2 나노 입자는 주로 열 수법에 의해 제조된다. 이 방법은 수율이 낮다는 단점이 있지만, 이는 대량 생산에 도움이되지 않습니다. 따라서 일부 전문가들은 꽃 모양의 WS2 나노 입자를 준비하는 간단한 공정-고온 가황 법을 제안했습니다. 고순도 WS2 나노 입자는이 방법으로 저비용 및 고 수율로 제조되므로, 대규모 산업 생산에 사용될 것으로 예상된다.
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http://tungsten-disulfide.com/korean/index.html
이황화 텅스텐 나노 입자의 합성
원소 황 분말, 티오 요소 및 WO3를 10 : 10 : 1 내지 20 : 20 : 1의 몰비로 혼합 한 후 완전히 분쇄한다. 분쇄 된 분말은 25-35 MPa의 압력 하에서 정제기를 사용하여 직경 25-30 mm 및 두께 4-6 mm의 웨이퍼로 압축된다; 압축 된 웨이퍼를 도가니에 넣고 도가니를 튜브 퍼니스의 중앙으로 밀어 넣고; 아르곤 가스를 튜브 퍼니스에 도입하고, 튜브 퍼니스를 10-12 ° C / 분의 속도로 800-850 ° C로 빠르게 가열하고 30-60 분 동안 항온 처리하여 텅스텐 디설파이드 나노 입자를 얻는다 .
