광촉매로서, 비금속 도핑 된 황색 텅스텐 산화물의 광촉매 성능은 순수한 WO3에 비해 개선된다. 비금속 이온 (C, N, F, S)은 O2p 오비탈에 비해 에너지가 상대적으로 높은 궤도를 가지고 있기 때문에 이러한 원자를 사용하여 반도체 산화물 (예 : WO3)의 일부 O 원자를 대체 할 수 있습니다. 반도체의 원자가 대역의 위치가 상승하고, 흡수 금지 에지가 적색으로 이동되도록 반도체 금지 대역의 폭이 감소된다.
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http://tungsten-oxide.com/korean/index.html
비금속 도핑 된 황색 산화 텅스텐 광촉매의 제조
도자기 보트에 일정량의 암모늄 텅 스테이트를 취하여 머플로에 넣고 600 ℃에서 5 시간 동안 굽고 자연 냉각 후 마노 절구에서 분쇄하여 순수한 WO3 분말을 얻었다. 특정 비율 (w (M) / w (WO3) X100 %, wt %, M은 희토류 원소로 계산 됨), 일정량의 도핑 원소 전구체 및 에탄올 수용액 (V : V, 1 : 1) 혼합하고, 필요한 양의 WO3 분말을 첨가하고,이를 마노 모르타르에서 30 분 동안 분쇄 한 다음, 80 ℃의 블라스트 건조 오븐에서 밤새 건조시켜 전구체를 수득한다. 전구체를 500 ℃에서 2 시간 동안 소성하여 비금속 성 C, N, F, S 도핑 된 WO3 분말 광촉매를 수득 하였다.
