铈掺杂钨酸钡镁发光薄膜是一种重要的光电功能材料,因具有较高的发光效率,而广泛应用于电致发光器件中。该发光薄膜的发光性能除了受铈、钡和镁含量的影响之外,还受生产工艺及工艺参数的影响。由于当前生产技术欠佳,导致所制成的该发光薄膜的发光效率较低,而且操作复杂,成本高。
为了弥补铈掺杂钨酸钡镁发光薄膜现有生产技术的不足,专利号为CN103534332B的研究者提出了一种新的生产方法,具体操作如下:将氧化镁(Mg0)、氧化钡(Ba0)、三氧化钨(WO3)及三氧化二铈(Ce203)混合,烧结形成溅射靶材;进行磁控溅射,形成铈掺杂钨酸钡镁发光薄膜前体;将该铈掺杂钨酸钡镁发光薄膜前体进行退火处理,得到铈掺杂钨酸钡镁发光薄膜。
该生产技术的注意事项包括:1)氧化镁的质量百分含量为0.2%~10%,氧化钡的质量百分含量为0.2%~30%、三氧化二铈的质量百分含量为0.02%~0.6%,余量为三氧化钨;2)烧结步骤中温度为900~1300℃;3)溅射步骤条件为:衬底和靶材距离为50~100mm、衬底温度为 250℃~750℃、氢气和惰性气体混合气体为工作气体,气体流量15~30sccm、压强0.2~4.5Pa;4)退火的温度为500C~800℃,时间为1-3小时。
利用该生产技术制备的铈掺杂钨酸钡镁发光薄膜具有较好的发光性能,在红光区和蓝光区有较强的发光峰;该方法具有操作简单、成本低廉,适于工业化生产的优点。
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