二碲化钨（Tungsten ditelluride，WTe2）是过渡金属钨的一种重要化合物，除了具有良好的超导性、热电性、催化性和热化学稳定性之外，还具有极为出色的巨磁阻效应。
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巨磁阻效应是一种量子力学和凝聚态物理学现象，是指磁性材料的电阻率在有外磁场作用时较之无外磁场作用时存在巨大变化的现象，它产生于层状的磁性薄膜结构。磁性薄膜结构是由铁磁材料和非铁磁材料薄层交替叠合而成，电阻值与铁磁性材料薄膜层的磁化方向有关，当两层磁性材料磁化方向相反时电阻值明显大于磁化方向相同时的电阻值。
研究表明，在低温下极端大型磁电阻的分层WTe2，在14.7T的磁场会产生4257倍的电阻，在60T的磁场会产生13000倍的电阻。半金属WTe2之所以具有很高的磁阻是因为它有一个平衡电子空穴的共振条件。
二碲化钨结构图
从结构上来看，二碲化钨材料与二硫化钨材料一样都是层状结构，即层与层之间是靠范德华力的互相作用来耦合的，而层内是钨原子与碲原子则以共价键的方式进行结合。
具有巨磁阻效应的二碲化钨薄膜的制备方法：将装有氟晶云母基片的真空腔室抽真空，并将氟晶云母基片加热到300℃左右；在该生长条件下，采用KrF准分子激光器将激光通过透镜聚焦到碲化钨靶材上，沉积时间根据选择厚度而决定；待WTe2薄膜生长完成后，基片温度保持不变，进行原位退火，冷却至室温即可。来源专利号为CN106784303A的专利。
