二碲化钨（WTe2）是具有层状结构的过渡金属硫族化合物，具有良好的超导电性、热电性能和巨磁阻效应，广泛应用于在存储器、电容器和传感器等产品中。但是，目前所制备的WTe2产品基本上是二维结构，很少有一维结构的纳米线。因此，专利号为CN109267036B的研究者提供了一种二碲化钨纳米线的生产方法，具体步骤如下：
CN109267036B/WTe2纳米线的生产过程
（1）二氧化硅/硅衬底裁剪成1cm*3cm的片状，钨粉和碲粉按比例混匀为混合粉；（2）混合粉放置于一个二氧化硅/硅衬底的二氧化硅面上，并添加氯化钠；另一片二氧化硅/硅衬底的二氧化硅面倒扣在放置有混合粉的二氧化硅/硅衬底上；（3）将两个二氧化硅/硅衬底移放置在石英试管中，石英试管放置在石英管中，石英试管的封口端与混合气体流动方向相对，在管式气氛炉中加热进行二碲化钨纳米线的化学气相沉积。
CN109267036B/WTe2纳米线
该生产方法的注意事项包括：1）石英管内通入的混合气体为氩气和氢气，氩气的流量为100sccm；氢气的流量为10～40sccm；2）石英试管用于放置进行化学气相沉积的衬底，化学气相沉积的反应温度为600～800℃；3）钨粉和碲粉的摩尔比为1:1～20，总质量为1mg～4mg；4）在钨粉和碲粉间掺杂NaCl，NaCl的掺杂量为0.1mg～0.5mg；5） WTe2纳米线的生长时间为4～30min。
该生产技术的优势是：通过反应源的比例，反应温度，反应时间等因素获得了尺寸较为均一的二碲化钨纳米线材料，且工艺简单，成本低廉。
