与二硫化钨（WS2）一样，二硒化钨（WSe2）也是一种典型的低维度过渡金属硫族化合物半导体材料，是一种层状结构的无机化合物，具有良好的物理、化学和电学等性能，广泛应用于储能电池、润滑、半导体、光伏、航天、航空、军事、国防等领域中。具体来说，WSe2的主要用途如下：
1.作锂硫电池正极材料
氮掺杂石墨烯插层的二硒化钨超点阵材料适合作锂硫电池正极的宿主材料，既能够有效促进锂离子转移，又能实现聚硫化合物的双效吸附，进而使所制备的电池的倍率性能和循环稳定性更好。
2.作锂电池负极材料
WSe2因有较大的层间距和较高的理论比容量的优点，而被认为是目前最有希望代替石墨负极的材料之一，能使所制备的电池的续航性能、倍率性能和使用寿命更高。
3.作润滑剂的添加剂
WSe2是一种低维度层状结构材料，每一个钨原子都会和六个硒原子以三棱镜的配位方式键结，而层与层之间是以范德华力相结合，所以具有较小的摩擦系数。
4.制作晶体管
WSe2和SnSe2（二硒化锡）制备出的2D/2D隧穿晶体管在低电压下能实现比由相同2D半导体材料制成的标准晶体管的性能更好，效率比传统晶体管更高。
5.制作光电极
WSe2具有较高的光吸收系数和能量转换效率，因而适合制作光电极。其光电转换效率比二氧化钛（5%）的高，约为17%。
6.制作单光子发射器
WSe2是一种二维材料，其由于存在氧间隙，而形成局域激子态的单光子发射，因而适合开发单光子发射器，提高其发射性能。
7.在超薄LED中的应用
WSe2的带隙为1.35eV，且具有良好的光学特性和物理化学稳定性，所以适合应用于超薄的LED中。
