钨钛合金薄膜是由钨元素和钛元素组成的材料，具有良好的导电性和耐腐蚀性，可用作超大规模集成电路薄膜工艺中的溅射靶。
一种钨钛合金薄膜光刻工艺的步骤如下：
一、将覆盖有合金薄膜的硅片衬底基片（简称“基片”）使用丙酮，异丙醇与去离子水清洗，吹干。
二、使用匀胶机将液态正光刻胶旋涂在待刻蚀的基片上，通过调节匀胶机转速以控制光刻胶达到特定厚度；将涂胶完成的基片在热板上加热固化胶层，待胶充分冷却后在对准曝光机上使用掩膜进行紫外线曝光；然后将曝光后的基片在显影液中完全显影，将显影后的基片在热板上加热，使胶层完全固化；匀胶与曝光过程在黄光区完成。
三、将热固化胶层的基片在有空气循环过滤设备的通风橱中冷却，确保胶层中的溶剂充分挥发，冷却过程在黄光区完成。
四、通过温度控制，将30%双氧水刻蚀液温度维持在20℃，将冷却完成的基片放入刻蚀液开始刻蚀；在20℃下双氧水对光刻胶膜的刻蚀作用被大大减缓，根据实验可知其刻蚀时间远大于钨钛合金薄膜需要的刻蚀时间。因此该反应可以在不破坏光刻胶赋形层的前提下实现合金薄膜的高精度刻蚀，而仅需要一步光刻。
五、将刻蚀完成的基片使用丙酮与异丙醇洗掉光刻胶，完成工艺。
该生产工艺实现高精度的合金薄膜光刻，提高产品的适用范围，消除了传统合金光刻中的铝赋形层引入的精度误差与工艺复杂性，改善了光刻精度与可靠性。
