为了有效提升新型调光器件的综合性能，有研究者表示可以使用WO3薄膜来代替TiO2薄膜，这主要是源于三氧化钨薄膜具有更为优秀的半导体效应、更好的光电转换性能和声致变色性能等特点。下面，我们一起来了解一下氧化钨薄膜的生产方法。
目前，氧化钨薄膜的制备方法常见的有溶胶-凝胶法、蒸发法、溅射法、离子辅助沉积法等。值得注意的是，反应磁控溅射法具有基片温升低、沉积速率适中、膜层均匀性及附着力好、膜厚工艺参数易控制等优点。
反应磁控溅射方法生产薄膜的具体步骤如下：
（1）选取纯度99.95%的金属钨靶，靶径65mm，溅射工作气体为氩气和氧气的混合气体，氧氩比1:1，工作气压1.0Pa，溅射功率5 w/cm2，基片和钨靶的距离7cm，溅射时间60 min，膜厚约为300 nm。
（2）基片分为普通玻璃和沉积有方阻为ITO 薄膜的玻璃，用洗涤剂去油后，依次用去离子水、丙酮、无水乙醇进行超声清洗10 min，然后用干燥的氮气将基片表面吹干。
（3）室温条件下沉积的WO3薄膜样品在大气氛围中进行不同温度的退火处理，升温速率为100℃/h，恒温处理时间为2 h，自然冷却，即可得到产物。
用普通玻璃为基片的薄膜进行X射线衍射和AFM 形貌检测，用ITO 玻璃为基片的薄膜进行紫外- 可见光透过率和循环伏安曲线检测。结果表明，室温条件下沉积的原始态薄膜，及退火温度200℃以下内的薄膜，基本保持着非晶结构，具有良好的Li+ 致色性能，薄膜的透光调控能力达到61.42%；随着退火温度的升高，薄膜开始晶化，Li+ 致色性能急剧下降。
