新型半导体芯片之所以要选用钨钛合金靶材来作为扩散阻挡层和粘结层的主要原因是，该合金具有较好的表面附着能力以及优异的散热性能等特点。这样一来，将能使所制备的产品拥有更高的综合性能。
钨钛合金是一种兼有过渡金属钨和钛的优点的合金，其具有较高的密度和纯度，较好的耐腐蚀性能以及较小的体积膨胀效应等特点，进而能有效减少在制造过程中颗粒的形成，即可以成功制备出高质量的薄膜。下面将为大家介绍的是一种钨钛合金的制备方法。
一种钨钛合金的生产方法的具体步骤如下：
（1）先称取一定量的钨粉及钛粉，并在惰性气氛保护下混合均匀，其中钨粉的质量百分比为10～65%；
（2）采用机械压机或冷等静压机将步骤（1）所制成的混合材料压制成坯料；
（3）将步骤（2）所制成的坯料放入真空烧结炉中进行致密化烧结；
（4）将步骤（3）所烧结的钨钛材料出炉冷却后在非自耗真空电弧炉中进行熔炼，即可得到产物。
与现有的生产方法相比，该钨钛合金的制造方法的优势有：（1）生产工艺简单，操作方便；（2）采用钨，钛粉末的混合原料，压制，烧结及电弧熔炼的过程进行制备，能有效解决传统钨钛合金制备效率低，材料均匀性和杂质含量不易控制的技术问题；（3）制备出来的钨钛合金材料的钨质量百分数为10～60%，适合于批量制备。
