纳米结构的氧化钨具有高比表面积和气体吸附能力，可以制成高效NO2传感器。有专家采用磁控溅射金属钨薄膜和两步热氧化工艺在SiO2衬底上生长出氧化钨纳米线，并通过改变第二步氧化温度，研究退火温度对氧化钨纳米线气敏特性的影响。专家还采用SEM、X射线衍射仪、X射线光电子能谱分析仪和TEM表征材料的微观特性和晶体结构，利用静态配气法测试气敏性能。
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结果表明，经过退火处理后氧化钨纳米线密度略微降低，300℃比400℃退火后的氧化钨结晶性差，对应的表面态含量多，有利于室温气体敏感性。测试NO2的气敏性能，经过对比得出300℃退火温度下制备的氧化钨纳米线在室温下表现出较很好的气敏响应，对6ppm NO2达到2.5，对检测极限0.5ppm NO2响应达1.37。也就是说，利用这些氧化钨纳米线制成的传感器即为高效NO2传感器。
