氧化钨用于隔热膜体现的是其隔热性能，而作光催化剂则体现其光催化性能，然而其在光催化过程中存在不足，因而需要研究提高氧化钨光催化性能的方法。
针对半导体光催化剂在光催化过程中存在的不足，研究者做出了很多努力。1976年，第一篇关于三氧化钨在光电化学领域的文章被发表。1979年，在三氧化钨粉体上成功光合成沉淀Cu，并研究了其光催化性质。1980年，发现三氧化钨可用于光催化还原二氧化碳和水，并得到了产物甲醛和甲醇。研究发现光照下三氧化钨在水中能够产生羟基自由基，而羟基自由基正是光催化降解反应中一个非常重要的物质。自此展开了基于三氧化钨光催化剂的研究。
经过研究，人们发现了一些影响光催化剂光催化性质的因素，如光催化剂的形貌、尺寸及改性，如元素掺杂、贵金属负载和半导体复合。同时，随着研究的深入，还发现对于一种晶型的光催化剂而言，不同的晶面具有不同的光催化活性。
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