偏鎢酸銨晶體是生產鎢產品的重要的中間化合物（或原材料），而鎢產品是重要的工業材料，其雜質含量需要嚴格控制和準確檢測。近年來對其純度要求越來越高，需分析雜質元素種類越來越多。其中，對於偏鎢酸銨晶體中痕量鉍的測定可以採用共沉澱分離-氫化物發生-原子螢光光譜法實現。
共沉澱分離-HG-AFS測定APT晶體中鉍的分析方法是在考察鎢基體影響，研究採用共沉澱分離手段在鹼性條件下分離鎢基體並富集痕量鉍的實驗條件，優化選擇共沉澱劑的種類、濃度等條件，考察鎢殘留濃度的基礎上建立起來的。氫化物發生-原子螢光光譜法（HG-AFS）具有靈敏度高、選擇性好且基體干擾小的優點。
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