表徵控制二硒化鎢半導體中暗三離子,或改變資訊傳播方式

科技日報消息,由美國加州大學河濱分校物理學家領導的一個研究小組觀察、表徵並控制了一種半導體材料——超淨單層鎢二硒化物(WSe2)中的暗三離子(Dark trion),這一最新進展有望改變資訊的傳輸方式。

二硒化鎢是一種類石墨烯二維材料,其結構是由上下各一層硒原子連接中間1層鎢原子所組成,科學家們發現原子級薄二硒化鎢材料結構具有自然發生的圓形旋轉,即贗自旋,這個特性使得二硒化鎢成為半導體電腦研究應用中的新寵兒。

二硒化鎢結構

在二硒化鎢(WSe2)等半導體中,三離子是三個帶電粒子的量子束縛態。帶負電的三離子包含兩個電子和一個空穴;帶正電的三離子包含兩個空穴和一個電子。空穴是半導體中電子的空位,行為類似於帶正電的粒子。因為三離子包含三個相互作用的粒子,所以能比單個電子攜帶更多資訊。此外,由於三離子攜帶淨電荷,其運動可通過電場控制,因此可用作資訊載體;其還具有可控的自旋和動量值以及豐富的內部結構,可用於編碼資訊。

三離子可分為擁有不同自旋配置的亮三離子和暗三離子兩種。亮三離子包含一個電子和一個擁有相反自旋的空穴;暗三離子包含一個電子和一個擁有相同自旋的空穴。亮三離子與光強烈耦合並發光,這意味著它們會迅速衰減;而暗三離子與光的耦合很弱,這意味著它們衰減的速度更慢。此外,暗三離子的壽命比亮三離子長100多倍,這意味著資訊能傳輸更長距離。

研究負責人、物理和天文學助理教授呂春紅(音譯)解釋說,大多數研究都集中在亮三離子上,因為它們發出的光多,容易測量,但他們的研究集中在暗三離子上。單層WSe2原子內部暗三離子的能級低於亮三離子的能級,因此,暗三離子可大量聚集,使其可被探測到。此外,通過簡單地調節外部電壓,可持續地將帶正電的暗三離子變成帶負電的暗三離子。

接下來,該團隊計畫用暗三離子演示資訊的實際傳輸。呂春紅說:“我們打算展示第一個使用暗三離子傳輸資訊的工作設備,如果這樣的原型設備可以工作,那麼暗三離子可以用來傳輸量子資訊。我們可以用光書寫和閱讀三離子攜帶的資訊,並控制資訊在其中的編碼方式,以實現新的資訊傳播方式。”

有業者評述稱:儘管聽起來,“改變資訊傳播方式”是一項里程碑式的研究,但實際上,其仍是處於概念驗證的研究水準,距離那一步還非常遙遠。表徵並控制了暗三粒子,與這一傳輸方式真正走出實驗室,很可能是一個時間跨度非常大的過程。現階段,利用暗三離子傳輸資訊的原型機還沒有問世,問世後是否可以正常運作、能以什麼效率傳輸多大的信息量,皆不可測,更遑論要將電子擠出資訊通訊界了。

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