在去年12月在三藩市舉辦的IEEE國際電子設備大會（IEDM）上，英特爾公司闡述了將鈷金屬應用于10納米晶片最細連接線的設想；英特爾和格羅方德公司都詳細介紹了用鈷代替鎢製成的電接觸材料設備的性能。
目前的電腦晶片中，多採用銅線連接晶片，銅金屬的電阻率比鋁、鎢甚至是鈷都要低，但隨著半導體行業中電晶體體積的縮小，銅線在更小尺度上就很容易受到電遷移的影響，造成損傷。為了保護銅互連，需要在纖細的線路中鑲嵌其他材料，如氮化鉭甚至是鈷。應用材料經理、半導體設備供應商凱文•莫賴斯（Kevin Moraes）說：“銅原子很容易移動，需要用1到2納米的阻擋層來控制它。”
當銅互連變小時，氮化鉭襯裡依然保持相對較厚，因為將襯裡尺寸縮小得比1納米還要薄是十分困難的。當銅接線小到一定程度時，襯裡的厚度會大於接線。紐約市約克敦海茨IBM沃森研究中心的研究員丹尼爾•埃德爾斯坦說“襯裡佔據了銅的空間，加大了線路電阻率。”“對於電線來說，電阻太大總歸是不好的。”
在國際電子設備大會上，英特爾在報告中指出，在10納米加工技術的兩層超薄佈線層（互聯最小）中使用鈷互聯，電遷移減少了1/10至1/5，電阻率是原來的一半。改善後的互連線路將有助於半導體行業克服線路問題，進一步縮小電晶體尺寸。
英特爾公司是第一個將晶片中的銅換成鈷的公司。在工藝改進過程中，英特爾公司曾經將與電晶體柵極接觸的鎢金屬層替換成鈷金屬層。之前選擇用鎢是因為鎢有彈性且不會有電遷移問題，但是鎢的電阻率很高。
值得注意的是，雖然目前來看鈷是最好的替代材料，但晶片製造商如三星、台積電並沒有公開使用鈷材料，半導體諮詢公司VLSIresearch的首席執行官丹•哈奇森（Dan Hutcheson）說：“最大的問題是在哪裡植入新技術。如果你過早應用，就會產生很多成本。英特爾願意為此付出高價，並且他們有能力調試新的材料。”
尤其是隨著鈷價的飆升，成本確實是個棘手問題。資料顯示，截至3月底金屬鈷價格漲至664166.69元/噸，3月鈷價漲幅9.12%。
相比於銅來說，鈷的電阻率是其3倍，但電遷移的可能性要小得多。因此，製造商紛紛轉而利用鈷作為金屬層材料，構成電晶體之間以及電晶體內部的短程連接。而在其他晶片的佈線層，由於線路更粗且連接距離更遠，因此還是使用銅更好。
