二碲化鎢（WTe2）是具有層狀結構的過渡金屬硫族化合物，具有良好的超導電性、熱電性能和巨磁阻效應，廣泛應用于在存儲器、電容器和傳感器等産品中。但是，目前所製備的WTe2産品基本上是二維結構，很少有一維結構的納米綫。因此，專利號爲CN109267036B的研究者提供了一種二碲化鎢納米綫的生産方法，具體步驟如下：
CN109267036B/WTe2納米綫的生産過程
（1）二氧化矽/矽襯底裁剪成1cm*3cm的片狀，鎢粉和碲粉按比例混勻爲混合粉；（2）混合粉放置于一個二氧化矽/矽襯底的二氧化矽面上，幷添加氯化鈉；另一片二氧化矽/矽襯底的二氧化矽面倒扣在放置有混合粉的二氧化矽/矽襯底上；（3）將兩個二氧化矽/矽襯底移放置在石英試管中，石英試管放置在石英管中，石英試管的封口端與混合氣體流動方向相對，在管式氣氛爐中加熱進行二碲化鎢納米綫的化學氣相沉積。
CN109267036B/WTe2納米綫
該生産方法的注意事項包括：1）石英管內通入的混合氣體爲氬氣和氫氣，氬氣的流量爲100sccm；氫氣的流量爲10～40sccm；2）石英試管用于放置進行化學氣相沉積的襯底，化學氣相沉積的反應溫度爲600～800℃；3）鎢粉和碲粉的摩爾比爲1:1～20，總質量爲1mg～4mg；4）在鎢粉和碲粉間摻雜NaCl，NaCl的摻雜量爲0.1mg～0.5mg；5） WTe2納米綫的生長時間爲4～30min。
該生産技術的優勢是：通過反應源的比例，反應溫度，反應時間等因素獲得了尺寸較爲均一的二碲化鎢納米綫材料，且工藝簡單，成本低廉。
