作爲集成電路中重要的擴散阻擋層，鎢鈦（W-Ti）薄膜雖然有較高的密度和良好的化學穩定性，但因爲鎢鈦靶材存有污染物粒子，所以薄膜欠佳。爲了降低靶材的污染物，研究者提出了一種高純鎢鈦靶材的新製備方法，具體步驟如下：
（1）將80〜90wt%高純鎢粉、10wt%高純鈦粉以及0〜10wt%高純添加劑金屬粉，按重量比稱量，然後放置于球磨罐中，球磨混勻，得到混合粉體；
（2）分別稱取一定量步驟（1）所得到的混合粉體，裝入一定尺寸規格的石墨模具中，將石墨模具放置于熱壓爐內，後抽真空，升溫，溫度達到500〜700°C，保溫30min，體系真空度保持在100Pa左右，不加壓；
（3）隨後升溫，幷在升溫過程中充氬氣，同時開始不斷加壓，當溫度升至1200〜1450°C間，壓力達到10〜30MPa，開始保溫保壓，保溫保壓1〜2小時後，關閉加熱電源開始降溫，等溫度降至900〜IOO°C，逐漸緩慢泄壓，至常壓；
（4）等熱壓爐完全冷却後，取出得到鎢鈦合金靶材坯料，後進行機械和電加工，再清洗，烘乾，得到高純鎢鈦合金靶材。
該生産方法的注意事項有：1）步驟（1）中高純鎢粉和高純鈦粉的純度大于或等于99.99%，高純添加劑金屬粉如鈮粉、鉬粉等的純度大于或等于99.9%。2）步驟（1）中高純鎢粉的平均粒度爲3〜5um，高純鈦粉的平均粒度爲38〜42um，高純添加劑金屬粉的粒度爲3〜15um。3）步驟（4）的機械加工爲磨削，電加工爲綫切割；清洗爲將靶材放入含有清洗劑的純淨水中，進行超聲清洗，清洗1〜2小時後，換純淨水再次進行超聲清洗1〜2小時；洗淨後將靶材放入真空乾燥箱內烘乾，最後得到鍍膜用的靶材。
