鎢是一種具有高傳導性的金屬元素，在半導體製造中，常被用作金屬層間的通孔（Via）和垂直接觸的接觸孔（Contact）的填充。基本上，積體電路是由數層材質不同的薄膜組成，
而使這些薄膜覆蓋在半導體器件上的技術，就是所謂的薄膜沉積技術。薄膜沉積技術一般有CVD（化學氣相沉積）和PVD（物理氣相沉積），鎢一般採用CVD（化學氣相澱積）法來沉積。隨著半導體器件特徵尺寸越來越小，對鎢的薄膜填孔能力的要求也越來越高。因此，如何提高金屬鎢的填孔能力變得越來越有意義。
經研究發現，在鎢的CVD技術中，通過改變以下幾點可以較好的提高鎢在半導體製造中的填孔能力：
1）增加半導體材料浸泡的壓力和時間。半導體材料浸泡的壓力越大，時間越長，鎢的填孔能力越強；
2）增加快速沉積WF6/H2比率及反應室壓力。WF6/H2比率越大，反應壓力越大，鎢的填孔能力也越強；
3）增加預熱的壓力。預熱的壓力越大，鎢的填孔能力越強；
4）增加成核時的WF6/SiH4比率，WF6，SiH4占的分壓及反應室的總壓力。WF6/SiH4比率越大，WF6，SiH4占的分壓越大， 反應室的總壓力越大，鎢的填孔能力也越強；
5）降低加熱器的溫度。加熱器反應的溫度越低，理論上反應速度越慢，鎢的填孔能力也越強。
鎢的CVD技術流程圖片
半導體圖片
