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作者：钨钼制品生产商、供应商-中钨在线文章来源：网络转载更新时间：2015-11-26 14:49:48

三氧化钨为OLED带来变化

由研究数据可得：采用磁控溅射方法制备的三氧化钨缓冲层研制的OLED器件，在工作电压20V时,IWO-OLED的亮度为8791cd/m2,IWO/WO3-OLED亮度为16690cd/m2。当电压加至19V时,IWO/WO3-OLED器件的功率效率达到最大值1.581m/W；与此对照,当电压加至20V,IWO-OLED器件的功率效率达到最大值0.76lm/W,数值是前者的1/2。对于IWO-OLED器件,当电流密度增大的时候,发光效率逐渐上升,当电流密度达到181.9mA/cm2的时候,发光效率达到最大值为4.83cd/A;对于IWO/WO3-OLED器件,当电流密度达到128.5mA/cm2时(对应的工作电压为19V),发光效率达到最大值9.56cd/A,其数值约为前者的两倍。总之,IWO/WO3-OLED无论在亮度,发光效率以及功率效率上都有显著的改善。

采用脉冲等离子体沉积方法(Pulsed Plasma Deposition, PPD)方法制备的三氧化钨缓冲层在器件OLED的效果：在工作电压20V时,IWO-OLED的亮度为8791cd/m2, IWO/WO3-OLED亮度为17360cd/m2,其亮度约为无三氧化钨缓冲层器件的两倍。

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