可扩展的CVD工艺制作的2-D二硒化钼
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在水稻研究中， Ajayan和他的同事通过建立一个场效应晶体管（FET ） ，在微电子工业常用的设备测试他们的原子薄层钼硒醚的。 FET的测试中发现的二硒化钼层的电子特性均较二硫化钼的显著更好;后者是已被更广泛地研究，因为它是更容易制造类似的材料。例如，场效应管测试中发现，赖斯的硒化钼的电子迁移率比CVD生长，二硫化钼较高。
在固态物理，电子迁移率指的是如何快速电子通过在电场的存在下，金属或半导体。具有高电子迁移率的材料通常是优选的，以减少功率消耗和发热的微电子器件。
“能够使2 -D材料在受控的方式真的会让我们自己的迷人特性的认识和使用产生影响，说：”研究的共同作者埃米莉RINGE ，化学和材料科学和纳米工程学助理教授赖斯。 “一个表征材料的结构和功能，正如我们在本文中所做的，就是这种进步的关键。 ”
二硒化钼和二硫化钼每个属于一类称为过渡金属二硫属化物材料; TMDCs被如此命名是因为它们包含两个元素，如钼或钨和“硫属元素”如硫，硒或碲的过渡金属。
TMDCs已吸引了来自材料科学家的浓厚兴趣，因为他们有相似的石墨烯，吸引了2010年诺贝尔物理学奖的纯碳材料奇迹的原子结构。石墨烯和类似的材料通常被称为两维，因为它们是只有一个原子厚。石墨烯具有非凡的电子特性。举例来说，其电子迁移率的数万次高于TMDCs更大。
然而，二维TMDCs像钼二硒化物已经引起极大的兴趣，因为它们的电子特性是互补的石墨烯。例如，纯石墨烯没有带隙 - 一个实用的电子属性，工程师可以利用，使场效应管，很容易打开和关闭。与许多纳米材料，科学家们已经发现， TMDCs的物理性质显着变化时，该材料具有纳米级的属性。例如，二硒化钼的板坯也就是即使是微米厚的具有“间接”的带隙，而钼二硒化物的一个两维片具有“直接”带隙。所不同的是用于电子重要的，因为直接带隙材料可以被用于制造可切换的晶体管和灵敏的光检测器。
“一个在材料科学和纳米工程学赖斯部的驱动力是谁专注于合成和我们这些参与与表征人与人之间的发展紧密合作， ” RINGE ，谁加入了赖斯的教师在一月份说。 “我们希望这将是一系列新协议的开头可靠地合成各种2 -D的材料。 ”克河西，所有南洋理工大学。
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