SOITEC与四联共同研发氮化镓晶片以提高LED生产效率
电子及能源产业的半导体材料生产和制造商SOITEC与照明行业的材料、设备和系统供应商重庆四联光电科技有限公司就共同使用HVPE技术制造氮化镓(GaN)达成了协议。GaN晶片模板在LED的生产中能大大降低成本。
双方的合作开发协议旨在使用四联的蓝宝石衬底和SOITEC独特的HVPE技术来验证GaN晶片模板生产的可行性并进行商业化生产，双方计划今年开始进行GaN晶片模板的样片生产。
SOITEC表示他们正计划使用验证过的硅外延设备，在加入其开发的镓气体后，开发出一种高产能的HVPE设备，研发出一种具有快速生长特点的工艺，以降低成本。这种新的工艺使得GaN模板比使用MOVPE的方式更具有成本的优势。
同时，SOITEC表示HVPE技术的开发引入了一种新的商务模式，它能让LED制造商节约高达60%的MOVPE产能。除此新的商务模型之外，利用Arizona 的菲尼克斯实验室附属机构所获得的在LED外延生长方面的经验，SOITEC也在寻找与四联开展LED照明领域方面的合作。
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