Plessey订购爱思强MOCVD系统用于生产高亮度LED芯片
6月12日，爱思强宣布Plessey Semiconductors Ltd向其订购一套新MOCVD系统。该订单是Plessey一系列可随时投产的7x6英寸晶片规格的CRIUS® II-XL反应器之中的第一项，这些反应器将用于生产硅基氮化镓(GaN-on-Si)高亮度LED芯片。
Plessey指出CRIUS® II-XL反应器将为其实现LED材料的全面生产奠定基础。该公司计划利用在普利茅斯的6英寸集成电路生产线，在大面积硅衬底上生产Plessey的LED品牌MAGIC (MAnufactured on GaNICs)。爱思强最新的CRIUS®技术拥有符合其要求的众多优势，例如在6英寸硅衬底和8英寸硅衬底上生产氮化镓外延层性价比最高的技术。
爱思强表示已做好全面准备，协助解决Plessey带来的各种技术挑战，期待见证LED市场的新浪潮。
据悉，Plessey宣布计划在未来六个月内推出低成本“MAGIC”超高亮度LED产品，以取代白炽灯泡市场。公司还计划开发一系列结合Plessey现有的独特传感和控制技术的智能照明产品。
Plessey表示有能力生产世界级的LED，推出市场迫切需求的低价高性能LED照明产品。2012年2月，该公司成功收购剑桥大学的衍生公司Cam GaN，现正致力建设硅基氮化镓技术的全面商业开发能力。此外，Plessey计划于2012年第三季度底前开始早期试产，在2013年第二季度前实现全面生产。
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