瑞士制成首个辉钼芯片性能超越硅
2011-12-07 09:51:30 来源：科技日报
据美国物理学家组织网12月6日报道，瑞士洛桑联邦理工学院（EPFL）的科学家宣称，他们制成了首个辉钼芯片原型。该芯片在实验中表现良好，证实了其在半导体芯片制造领域内的突出性能。这意味着商用辉钼芯片距离现实又近了一步。
今年年初，该校曾公布了辉钼的潜在性能，引发了人们对这种新材料的关注。研究人员称，用辉钼可以制成尺寸更小、能效更高的芯片。这种材料的性能不但远超过硅，甚至在某些方面比石墨烯更具优势，有望成为下一代半导体材料的有力竞争者。
这一原型芯片是由该校纳米电子与结构实验室（LANES）负责研制的，研究人员通过将2个到6个晶体管进行串联，得到了这个原型芯片。实验结果表明，该原型芯片已经能够进行基本的二进制逻辑运算。
纳米电子与结构实验室主任安德拉斯·凯斯说，辉钼是一种极具潜力的新材料，这次实验已经证明了这一点。他说，辉钼的主要优点是它有助于进一步减 小晶体管的尺寸，进而制造出体积更小、性能更好的电子设备。对硅而言，制作芯片的极限厚度是2纳米，因为如果厚度再小的话，其表面就容易在环境中发生氧 化，影响其电气性能。而由辉钼材料制成的芯片即便在3个原子的厚度上也能正常工作，并且在这一尺度上材料传导性依然稳定可控。
辉钼的另一个优点是其在带隙上的优势，这使由它制成的芯片开关速度更快，能耗更低。此前的实验表明，用单层辉钼制造的晶体管在稳定状态下能耗比 传统硅晶体管小10万倍。此外，辉钼矿独特的机械性能也使其具备成为柔性芯片材料的潜力。这种新材料将赋予未来芯片更多有趣的特性，例如，用其制成的柔性 计算机或手机甚至可以按照用户脸部的曲线进行弯曲。
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